III族氮化物异质界面的缺陷

III族氮化物在短波长光电子器件、高温和大功率电子器件等方面有广泛的应用。尽管近年来生长技术取得重要的进展，外延层中的应力依然很强。应力不仅带来了高的穿透位错密度，还造成异质界面的缺陷产生。本项目将用透射电镜观察III族氮化物异质界面缺陷的图像，并用能量色散X光法分析界面处的成分，用阴极荧光法测量不同波长发光强度的分布；用高空间分辨率的扫描俄歇电子能谱和X射线光电子能谱测量异质界面处的成分、化学位移。用第一原理赝势法计算大型超原胞不同异质界面处缺陷的晶格和电子结构变化。了解III族氮化物异质界面的缺陷，为改善界面质量，提高相关器件的质量提供实验和理论的依据。