ZnSe/Ge基纳米线异质结阵列制备和光、电性质研究

本项目旨在采用气相沉积法和湿化学法、磁控溅射和等离子体源掺氮法等相结合，在硅衬底（或锗衬底）上制备不同形貌和尺寸的一维硒化锌/锗（ZnSe/Ge）异质结纳米结构和ZnSe纳米结构以及氮掺杂ZnSe纳米结构，研究其生长机理,通过控制工艺，实现ZnSe纳米线和ZnSe/Ge纳米线异质结阵列的可控和有序化；并探索N掺杂ZnSe纳米线的最佳制备工艺,进而制备N掺杂ZnSe/Ge基纳米线异质结。用变温PL和Raman谱研究这些均质和异质结纳米结构的荧光特性与其结构、形貌、尺度和制备条件的关系，改进制备工艺实现ZnSe/Ge基纳米线异质结和ZnSe纳米线荧光特性可调制。研究N掺杂和不掺杂ZnSe纳米线以及ZnSe/Ge基纳米线异质结的电输运特性，发现ZnSe/Ge基纳米线异质结的潜在新性质，并探索制备p型ZnSe纳米线的最佳工艺。将本制备方法发展成一种普适的方法用于制备其它II-VI/Ge纳米结构。