根据已有热力学数据,计算出Mo—Si—C三元系中三元相的Gibbs生成自由能,并计算出实用温度1200℃和1600℃下的化学稳定性相图。此相图为研究反应物扩散路径提供理论依据。通过扩散偶实验,结合化学稳定性相图。确定了Mo—Si—C三元系的反应路径以及生成物的形核发展规律。完成了固态置换反应的界面稳定性分析,建立了界面稳定性的数学模型,并发现了一种新的固态置换反应生成物形貌结构:螺旋共生束集型结构。通过改变反应起始物的配比,可以调控增强相SiC的体积分数,使其在一定范围内变化,达到调控复合材料显微结构及性能的目的,为此类复合材料的相容性设计提供了实验基础,总结了此类复合材料的相容性设计原则。
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数据更新时间:2023-05-31
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