绝缘层上锗新材料的研究

绝缘层上锗（GOI）具有高速的特点，是集成电路45纳米特征尺寸以下的新一代高端硅基衬底材料，同时该材料在光电集成和光互连上也有重要的意义。本课题采用键合和薄膜转移的方法制备GOI材料，针对该技术目前存在的主要问题和难点进行研究，深入研究硼、氢等离子注入后与锗单晶的相互作用，探索低温剥离工艺；系统研究不同等离子体处理条件对键合表面和界面的影响，提高锗和氧化硅片的表面亲水性能，在低温下获得较好的键合界面和强度；研究提高GOI晶体质量的途径，掌握GOI特殊的结构和电学表征方法；为45nm以下纳电子时代提供关键材料和技术基础。