绝缘层上SiGe材料的制备及弛豫机理研究
基本信息
批准号：60676005
项目类别：面上项目
资助金额：30.00
负责人：成步文
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：2006
结题年份：2009
起止时间：2007-01-01 - 2009-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：左玉华,罗丽萍,时文华,胡迪
关键词：
SOI键合应变SiGe弛豫
结项摘要
绝缘层上弛豫SiGe材料（SGOI，SiGe-on-insulator）将SiGe技术与SOI技术结合起来，是新一代微电子材料。本项目提出采用柔性键合与智能剥离技术，将应变的SiGe/Si材料与SiO2/Si进行柔性键合，在去除Si衬底过程中或去除衬底后的热处理过程中使SiGe的应变弛豫，从而制备出SGOI材料。通过对应变SiGe材料的生长、SiGe/Si与SiO2/Si柔性键合、SiGe/Si智能剥离技术的研究，以及对应变的SiGe薄膜材料在键合转移中和键合后热处理过程中应力的弛豫过程的物理机理的深入研究，探索一种工艺简单、材料质量优良的实现SGOI材料的新方法，为新一代超高速、低功耗的微电子集成电路的研制打下材料基础。
项目摘要
项目成果
{{index+1}}
{{i.achievement_title}}
{{i.achievement_title}}
DOI：{{i.doi}}
发表时间：{{i.publish_year}}
暂无此项成果
数据更新时间：2023-05-31
其他相关文献
1
卫生系统韧性研究概况及其展望
卫生系统韧性研究概况及其展望
DOI：10.16506/j.1009-6639.2018.11.016
发表时间：2018
2
钢筋混凝土带翼缘剪力墙破坏机理研究
钢筋混凝土带翼缘剪力墙破坏机理研究
DOI：10.15986/j.1006-7930.2017.06.014
发表时间：2017
3
吉林四平、榆树台地电场与长春台地磁场、分量应变的变化分析
吉林四平、榆树台地电场与长春台地磁场、分量应变的变化分析
DOI：10.14075/J.gg.2016.11.015
发表时间：2016
4
双粗糙表面磨削过程微凸体曲率半径的影响分析
双粗糙表面磨削过程微凸体曲率半径的影响分析
DOI：10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2017.01.017
发表时间：2017
5
一种可穿戴指间角度测量系统设计
一种可穿戴指间角度测量系统设计
DOI：10.13382/j.jemi.B2003250
发表时间：2020
成步文的其他基金
批准号：61774143
批准年份：2017
资助金额：67.00
项目类别：面上项目
批准号：61435013
批准年份：2014
资助金额：370.00
项目类别：重点项目
批准号：61036003
批准年份：2010
资助金额：200.00
项目类别：重点项目
批准号：61176013
批准年份：2011
资助金额：72.00
项目类别：面上项目
相似国自然基金
1
SOI衬底上SiGe异质结构的应变弛豫机制
批准号：50502008
批准年份：2005
负责人：马通达
学科分类：E0207
资助金额：26.00
项目类别：青年科学基金项目
2
PbS量子点材料中激子多重弛豫机理研究
批准号：61704023
批准年份：2017
负责人：王静
学科分类：F0405
资助金额：25.00
项目类别：青年科学基金项目
3
绝缘层上锗新材料的研究
批准号：60776002
批准年份：2007
负责人：刘卫丽
学科分类：F0401
资助金额：7.00
项目类别：面上项目
4
弛豫铁电单晶超声电机的制备科学
批准号：50777065
批准年份：2007
负责人：罗豪甦
学科分类：E0703
资助金额：30.00
项目类别：面上项目