纳米硅的超高真空电子束制备及其应用探索

采用新颖的超高真空双电子枪共蒸发或交替蒸发技术制备镶嵌在绝缘介质基体（SiO2或Al2O3）中的纳米Si，研究衬底温度、绝缘材料和Si的蒸发速率比等制备参数对纳米硅形成的影响；优化试验条件，制备得到粒径小于10nm且分布均匀的纳米Si；研究其结构特性、形成机理、电荷存储效应和发光特性，为新型单电子存储器和硅基光电集成提供新的材料制备基础。