在ULSI中互连延迟已成为制约集成电路速度的主要因素,减小互连延迟是未来SOC工艺发展的关键之一。采用低介电常数介质可以有效降低互连延迟,然而低介电常数介质通常机械性能较弱,进而引起电路互连的失效。本项目针对SiOC低介电常数介质在铜互连工艺中应用存在的问题,研究紫外辐射和等离子体处理对其结构和性能的改进机理,以及改性后低介电常数介质和超薄扩散阻挡层的界面反应。通过控制处理的工艺条件,揭示紫外辐射
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数据更新时间:2023-05-31
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