集成电路用低介电常数介质薄膜的制备与性能研究

用等离子体化学气相淀积在国际上首次制备了可用于超大规模集成电路的非晶硅碳氧氟低介电常数介质薄膜。该薄膜介电常数可低至2.35，击穿场强可达MV/cmo用拉曼光谱，傅立叶红外光谱，X射线光电子谱，俄歇能谱，二次粒子质谱，X射衍射和扫描电子显微镜等研究了该薄膜的结构和性能，用MIS结构测量了薄膜的C-V和I-V 特性。研究了N2和O2等离子体处理改进低介电常数掺氟氧化硅介质抗温性能的机理。采用旋涂工艺在国际上首次制备了新型超低介电常数的介质薄膜：多孔Teflon AF薄膜，并用FTIR、SEM、XPS和XRD等对该薄膜进行了仔细表征。上述三方面的工作共发表学术论文20篇，其中SCI期刊论文10篇，完成了基金项目所规定的研究任务。