ZnO基透明薄膜晶体管的研制

基本信息
批准号:60576054
项目类别:面上项目
资助金额:28.00
负责人:杜国同
学科分类:
依托单位:大连理工大学
批准年份:2005
结题年份:2008
起止时间:2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:张源涛,李万成,杨天鹏,侯小珂,刘维峰,付艳萍,徐艺滨,王新胜
关键词:
透明集成电路透明薄膜晶体管ZnO
结项摘要

提出了全MOCVD(金属有机物化学气相外延)法制造ZnO基(及其多元氧化物)透明薄膜晶体管(Transparent Thin Film Transistors, TTFT),研究其材料生长、器件结构及制造工艺。全MOCVD制造ZnO-TTFT工艺简单、均匀性好、器件制造过程沾污小、器件可靠。采用ZnO-TTFT可提高LCD、OLED显示屏开口率,提高显示品质,并且ZnO-TTFT对可见光无反应,不需要遮光层,简化工艺;ZnO-TTFT结合ZnO透明电极技术还可以制造透明集成电路,将在伪三维立体显示屏、汽车智能显示、航空头盔显示等平面显示、光学信息处理、宇航、军事领域有广泛应用前景。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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