高迁移率ZnO基透明薄膜晶体管研究
基本信息
批准号：60676003
项目类别：面上项目
资助金额：27.00
负责人：吴惠桢
学科分类：
依托单位：浙江大学
批准年份：2006
结题年份：2009
起止时间：2007-01-01 - 2009-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：吴剑钟,徐天宁,斯剑霄,王擎雷,金国芬,夏明龙
关键词：
TFT电子迁移率。ZnO
结项摘要
薄膜晶体管（TFT）占有硅芯片技术的第二大市场，在平板显示、打印机、复印机和摄像机等中具有重要的应用，目前的TFT 产品都采用非晶Si或多晶Si技术，对可见光吸收、电子迁移率低是Si基TFT的明显缺点。本项目提出了用六方相ZnO基纳米薄膜和立方相ZnMgO纳米薄膜构建对可见光透明的TFT，通过深入研究器件结构参数、ZnO基纳米薄膜材料的低温生长机理及其微结构与电学特性的关联等科学问题，实现高电子迁移率的透明TFT器件。探索在柔性塑料衬底上研制透明薄膜晶体管和采用具有室温铁磁性的ZnCoO纳米薄膜做沟道实现磁场和电场控制的薄膜晶体管。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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