掺杂碲镉汞半导体光学性质的红外调制光谱研究

碲镉汞是制备大规模高性能红外焦平面阵列探测器的重要材料。通过改变组分，探测范围覆盖三个大汽窗口，在空间、环境、国家安全等领域取得广泛应用。目前双色/多色IR FPAs是研究重点，掺杂对器件制备的影响等问题尚未得到很好解决。.本项目创新点在于，充分利用基于步进扫描傅立叶变换光谱仪的新型红外调制反射、双调制光致发光等光谱方法研究的重要进展，结合变温吸收光谱和光电导谱，系统研究外延碲镉汞材料的调制反射、双调制光致发光光谱特性；建立碲镉汞带边能带结构、杂质/缺陷能级分布与材料组分、制备、掺杂条件的关系；掌握As掺杂的激活、电性、及其组分/退火温度/掺杂浓度相关性；比较分析器件结构中深能级杂质/缺陷对双色MCT红外探测器性能的影响。从机理和参数两方面为我国双色/多色红外焦平面探测器材料/器件的制备提供基础支持。