磷族基新型化合物半导体的合成、晶体结构、能带结构和性能研究

化合物半导体材料由于具有元素半导体无法比拟的优点而受到广泛的研究和关注，已成为现代工业和国防的关键基础材料。由于IIB-V-VΠ系列化合物中磷族元素多种多样的配位方式使得其化合物具有丰富的结构类型并呈现出优异的物理与化学性能，因而引起人们广泛的研究兴趣。然而，由于其金属元素只关注IIB而使得多功能材料较难获得。因此有目的引入一些具有良好磁性或光学性质的过渡金属或稀土元素以便得到具有优异综合性能的多元化合物半导体材料是十分有意义的。基于申请人在磷族基化合物半导体材料领域已经取得的初步研究结果，本项目提出以过渡和稀土金属磷卤化物为主要研究对象，设计合成具有不同结构类型的金属磷卤化物，研究它们的半导体性能、光学及磁性能等，探索不同合成条件对化合物组成、结构及性能的影响，通过量化计算深入研究和总结化合物的组成及结构与性能的关系，为合成综合性能优良的磷族基化合物半导体材料提供新材料的源泉和理论基础。