光电信息功能结构材料生长与器件

基本信息
批准号:90701006
项目类别:重大研究计划
资助金额:83.00
负责人:王占国
学科分类:
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年份:2007
结题年份:2007
起止时间:2007-06-01 - 2007-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:曲胜春
关键词:
重大创新成果光电信息功能材料
结项摘要

2001年启动的基金委重大研究计划"光电信息功能材料",会聚了国内该领域的主要研究人员,经过6年的实施,大大提升了该领域的基础研究的创新能力和实用化水平。虽然在无机光电信息功能材料与器件应用研究的7个方面取得了具有突破性的创新成果(基于量子效应的半导体低维结构材料(量子点、量子环等)可控生长、机理和电子结构研究;GaAs、InP基功能结构及其在光电子器件中的应用研究:光网络器件用InP基功能材料与器件研究:ZnO 单晶薄膜制备及P型掺杂;高抗光损伤铌酸锂晶体制备与器件应用;微结构加工和器件应用技术以及光的相位控制技术与应用),但尚存一些需要从实验和理论两方面进一步完善、提高的工作,如稀疏量子点的可控制备与光学性质,ZnO的P型稳定掺杂和光的位相控制及应用技术完善以及全光网关键技术探索等。相信通过本项目的实施,会进一步提高上述创新成果的显示度,并为今后的研究打下良好基础。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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