应变自组装半导体低维结构材料的制备及应用探索

研制出高质量的自组装量子点、准量子线材料，提高了量子点的尺寸均匀性和密度；对量子占的结构、光学和电学性质进行了实验研究和理论分析。在国际上首次发现InAs/InAlAs/InP准量子线多层耦合结构的斜对准现象，提出合理模型解释其机理。研制出In（Ga）As/GaAs大功率量子点激光器，室温连续激射波长—96Onm，最低阈值电流密度218A/cm（2），最大输出功率3.618W；0.61W工作寿命超过3760小时；已用来制做出室温连续输出功率超过10W的大功率量子点激光器光纤耦合模块；量子点激光器的综合指标尤其是在可靠性、实用性方面达到国际领先水平。发表论著104篇；获得中科院自然科学一等奖2项。按计划完成/超额完成了项目计划书中要求的各项指标。