直流等离子体法沉积氮化硅薄膜形成机理及性能研究

按计划期完成了全部研究内容，达到了予期目标。研究成果：用直流等离子体在阴极与阳极上试样都成功地制得高电阻率的氮化硅薄膜；其沉积速率较高一般为8-9A（0）/S，最高达37A（0）/S；这种膜不仅在单晶硅还可在各种钢为基体的材料上制得，上述三者未见国内外文献报导。所得薄膜组织致密，以非晶态Si3N4为主要成分，电阻率10（14）Ω-cm，具有高的抗高温氧化能力、光的透射率高，同行研究中属较好水平。上述成果证实氮化硅薄膜作为大功率集成电路及精密电子器件的绝缘衬底，太阳能电池、高温高硬材料上有很好应用前景。已在国际会议及国内核心刊物分别发表论文1及4篇（含一级刊物2篇）。薄膜的成分结构性能测试均采用现代化测试手段、数据可靠。经费使用合理。