高电子迁移率晶体管(ＨＥＭＴ）材料的辐照效应研究

三年中本课题用0.4—1.8MeV的电子束及10KeV—130KeV的质子束对AlGaAs/GaAs,AlGaAs/InGaAs,InGaAsP/InP等单量子阱或多量子阱材料以及HEMT，PHEMT，LT—HEMT结构材料进行了辐照效应的研究。测试了辐照前后及退火前后的电学，光学以及缺陷情况等特性，得到了电子束，质子束的注量阈值分别为1×10(15)/cm(2)和1×10（12）/cm(2)，并给出了各种能量的粒子束的射程的计算值以及辐照缺陷类型，能级位量等等不少新结果，也用Y2O3—ZrO2膜作了核加固尝试。可提高抗电子辐照在注量方面约一个量级。这些都为HEMT等材料在核环境及空间技术的应用方面提供了一些重要数据。