应用于射频电路的GPSOI新材料研究

集成电路从微电子发展到微纳电子时代，SOI技术以其优于体硅的高性能、全集成、低功耗、低成本的诸多优势将成为取代现有体硅材料的核心支撑技术。本项目是针对射频集成电路等的特殊要求，在常规SOI技术的基础上，探索研究带有接地WSix埋层的GPSOI新材料，通过WSi2薄膜的制备工艺优化及物理机制研究，确定射频性能优异的绝缘埋层制备方法，提高GPSOI材料较传统SOI的抗串扰性能，并实现GPSOI上高品质射频无源器件，表征该新型硅基材料优异的射频损耗特性。本课题涉及SOI及硅基射频这两个国际热点领域，其研究成果将进一步拓展SOI技术的应用领域，为SOI与硅基射频技术的有效结合及在射频集成电路等的特殊应用提供关键材料，其研究意义重大，并具有广阔的应用前景。