硅基射频集成电路的快速电磁优化设计

基本信息
批准号:60771015
项目类别:面上项目
资助金额:28.00
负责人:唐万春
学科分类:
依托单位:南京理工大学
批准年份:2007
结题年份:2010
起止时间:2008-01-01 - 2010-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:许建中,彭树生,王珂,蔡文博,陈学梅,佴玉,米燕,普远航
关键词:
优化设计硅基射频集成电路电磁
结项摘要

硅基射频集成电路的研究方兴未艾,随着集成电路的集成度越来越高,各元器件之间的耦合也越来越强,因此有必要对硅基射频集成电路的元器件进行准确的建模和快速电磁优化设计。基于合成渐近技术,推导出硅基射频集成电路中传输线的不连续性等效电路,新型传输线的简单CAD公式,对涡流进行建模,研究多层平面螺旋电感公式及其等效电路,研究多导体传输线的特性并获取其互电感和互电容矩阵,结合空间映射技术对硅基射频集成电路进行快速电磁优化设计,形成有自主知识产权的硅基射频集成电路的设计软件,力争缩小我国与先进国家在这方面的差距。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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