纳米硅薄膜应用探索性研究

发现纳米硅薄膜本身具有低维物理特性。大量的实验及理论工作已证实，纳米硅膜中的细微晶粒具有量子点特征，其高电导特性主要来自于晶粒之间的异质结量子隧穿过程，理论与实验符合的相当好。使用纳米硅薄膜研制成隧道二极管，在液氮温区（＜100K）呈现出共振隧穿及量子振荡效应，是我们的首创，具有前景。目前正往室温方向发展使它成为研制半导体量子功能器件的实用材料。纳米硅膜具有极好的温度稳定性，已发表其I-V特性在数百度范围不变，在半导体异质结中是罕见的。还发现它具有极好的压力灵敏系数（K～130）比目前用来制作传感器的单晶硅和多晶硅高出5-6倍，是用于研制微压力传感器的好材料。目前正与宝鸡传感器研究所联合研制中。