半导体芯片金属化工艺过程中的相关电化学问题研究

针对半导体芯片金属化工艺过程中的相关电化学问题，研究现行铜互连线工艺中铜在微沟道中的超等厚沉积机理，在模拟芯片上实现铜在微沟道中的无缝隙和无空洞填充。在上述工作的基础上，搞清新一代银互连线工艺中，银在微沟道中的超等厚沉积机理，在模拟芯片上实现银在微沟道中的无缝隙和无空洞电沉积填充，为我国未来半导体集成化芯片系统的制作奠定基础。