针对半导体芯片金属化工艺过程中的相关电化学问题,研究现行铜互连线工艺中铜在微沟道中的超等厚沉积机理,在模拟芯片上实现铜在微沟道中的无缝隙和无空洞填充。在上述工作的基础上,搞清新一代银互连线工艺中,银在微沟道中的超等厚沉积机理,在模拟芯片上实现银在微沟道中的无缝隙和无空洞电沉积填充,为我国未来半导体集成化芯片系统的制作奠定基础。
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数据更新时间:2023-05-31
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