基于介观光学结构的GaN基新型发光器件

介观光学结构是指尺度与光学波长相比拟的各种光学介质结构，受限电子、光子和激子在介观光学结构中出现的一系列现象不仅揭示了光与物质相互作用的许多基本规律和本质，也为人们控制光的产生、获取、存储、传输及处理等行为和发展微光子学新型器件提供了新的思路和依据。本项目拟在我们已有的宽禁带半导体GaN系光子晶体和GaN基发光器件研究成果的基础上，针对主要难点，提出基于介观光学概念的GaN基发光器件的新构想。即从原理上将具有高效反馈、耦合输出或传输的微、纳结构运用于GaN基发光器件；从技术上发展一套适于将微纳结构转移到GaN电注入器件的研制技术；建立和完善表征手段，研究器件中光限制、反馈和传输机制及微腔物理和微光子学特性，研制出高效电注入基于介观光学结构GaN基LED和GaN基激光器的原型器件，为发展实用化的高效GaN基新型发光器件和未来光集成开辟一条新路。