MOCVD生长重掺碳GaAs的晶格补偿技术

将碳作为GaAs外延材料的P型杂质具有掺杂浓度高，扩散系数小等优点。但是，由于在GaAs中碳的共价半径比Ga和As要小，因此在重掺碳GaAs中产生晶格收缩，造成外延压与衬底的失配。选择铟作为等电子杂质掺入重掺碳的GaAs中，可以有效地克服晶格收缩，根据掺碳量来调节掺铟量以达到控制晶格匹配，采用了MOCVD技术生长重掺碳GaAs，最高浓度可达1.8×10(20)cr(-3)双掺晶格补偿材料与GaAs衬底的换配度小于1×10(-4)。实验表明，选择铟作为等电子杂质，具有材料结构与工艺制作兼容的优点，易于实现和操作，具有实用价值。将双掺GaAs材料作为异质结双极晶体管的基础，获得了共射极直流放大系数为9-10，最高截止频率大于20GHZ的良好器件结果。