ZnCdSe-ZnSe超晶格的MOCVD生长及其光学特性研究

利用改装的LP-MOCVD系统及其光助辅助装置外延生长了不同X值的Zn1-xCdxSe-ZnSe超晶格，经判别有高质量及较好的均匀性和重复性。研究了该超晶格中激子自发和受激发射。首次研制了具有波导结构的该超晶格，并获得低阈值的受激发射。研制了ZnSe PIN结构，其中I层为该量子阱，在室温和直流脉冲激发下获得蓝绿色EL和激光。首次用Z—扫描技术测得该超晶格的三阶非线性系数；首次从该量子阱中获得室温和PS响应的激子型光双稳；研制了ZnSe PIN结构的自电光效应器件。设计和研制了有二个X值组成的组合超晶格，由于同时存在深和浅阱，使之呈现丰富的激子隧穿和激子跃迁。发表论文24篇含国际会议邀请报告1篇，培养研究生8人。