MOCVD生长ZnSe/MgS超晶格的研究

为生长镁基半导体薄膜材料，本项目设计和加工了一种特殊的MOCVD反应器，对镁源的输运作了特殊处理，克服了镁源（二茂镁）蒸气压很小，通常只用作掺杂剂的不足以及镁源在MOCVD生长过程中气相副反应很严重的缺点，成功地生长了MgS和MgSe薄膜材料。在80多种二元化合物中处于临界状态的MgS和MgSe，可出现多种相结构（NaCl结构，纤锌矿结构和闪锌矿结构）的理论预言，在本项目实验中得到证实。本项目用MOCVD方法，通过优化生长工艺，可控制所生长的薄膜材料的相结构。