用MOCVD方法生长GaAs/Si超晶格材料

基本信息
批准号:68880601
项目类别:专项基金项目
资助金额:6.00
负责人:楼立人
学科分类:
依托单位:中国科学技术大学
批准年份:1988
结题年份:1990
起止时间:1989-01-01 - 1990-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:
关键词:
MOCVD方法超晶格材料。GAAS/SI
结项摘要

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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