用MOCVD方法生长GaAs／Si超晶格材料
基本信息
批准号：68880601
项目类别：专项基金项目
资助金额：6.00
负责人：楼立人
学科分类：
依托单位：中国科学技术大学
批准年份：1988
结题年份：1990
起止时间：1989-01-01 - 1990-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：
关键词：
MOCVD方法超晶格材料。GAAS／SI
结项摘要
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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