GaN基气敏传感器材料和器件研究

GaN基气敏传感器材料和器件是一个崭新的研究领域。由于GaN材料具有宽禁带、优良的压阻压电效应、高声波速度、良好的化学稳定性，可应用在高温、强辐射等恶劣环境下，因而基于GaN的传感器可以工作在600℃以上，这是传统Si和其它半导体材料所无法比拟的。GaN基气敏传感器可用于航天器燃料泄露的探测、有毒及腐蚀性气体监测，也可直接置于汽车内燃机中探测有害气体成分，减少环境污染，提高燃料效率。采用GaN基宽带隙材料的传感器可省去卫星和飞机的散热系统以实现更多的功能。因此GaN基气敏传感器材料和器件的研究对于我国国防、航空航天有着极其重要的意义，在有害气体检测和环境保护等方面也拥有广阔的市场前景。.GaN基气敏传感器材料和器件研究的主要内容包括GaN基气敏传感器设计、气敏传感器材料研制、气敏机理探索、气敏传感器器件研制、气敏传感器性能测试分析等研究内容。