Mn调制掺杂一维铁磁半导体系统的自旋量子调控研究

本项目以一维铁磁半导体量子结构中的自旋量子行为以及自旋量子调控为基本研究目标，针对GaMnAs(GaMnN)基铁磁体/半导体、铁磁体/铁电体等异质结结构，重点关注调制掺杂体系中的受主行为、自旋电子(空穴)发射、输运、外场(光场、电场和极化场)下的自旋调控以及磁电、磁光的互作用机理。针对具体的器件结构和功能目标，在解决和材料及器件相关物理问题的基础上，重点设计出对自旋电子器件有利的具有高自旋极化度、高居里温度以及高隧穿磁阻的自旋器件（铁磁RTD、自旋LED等）；并探讨实际器件结构的高效而方便的自旋极化注入、输运和调控方案。计算的材料结构和器件模型紧密结合实验及工艺过程。通过本项目研究，即可为优化材料生长和器件制备条件提供相应的理论基础和理论预测，也有助于深层次理解和认识低维半导体结构中自旋量子调控的相关理论。