深亚微米含氟MOS器件可靠性研究

基本信息
批准号:69076422
项目类别:面上项目
资助金额:3.50
负责人:徐元森
学科分类:
依托单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
批准年份:1990
结题年份:1993
起止时间:1991-01-01 - 1993-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:龙伟,范恒,翁建体,解晓东
关键词:
可靠性MOS器件
结项摘要

当前国际上利用薄膜微电子工艺,研制一种微米级的真空微电子管,具有许多比晶体管优越的性能,但其真空系统不封闭,难于集成化,本项目在研制一种封闭型的真空微电子管,使用中不必再抽真空,且易于与阻容元件构成集成电路,可加速新的一轮电子技术革命的到来.

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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