深亚微米MOS器件边界陷阱的RTS分析方法
基本信息
批准号：60276028
项目类别：面上项目
资助金额：20.00
负责人：庄奕琪
学科分类：
依托单位：西安电子科技大学
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：杜磊,王日升,韩孝勇,陈旋,代国定,包军林,吴勇,张丽
关键词：
电场奇异性随机电报信号边界陷阱
结项摘要
强场诱生并与电场奇异性密切相关的边界陷阱是影响深亚微米MOS器件可靠性的关键因素之一。本项目研究并确定随机电报信号RTS与边界陷阱之间的相关性，建立其表征模型，配合子波分析、平衡测量和热载流子注入辅助技术，通过RTS测量来确定深亚微米MOS器件边界陷阱空间分布和动力学特征量，可望为此类器件的可靠性评估提供一种新的手段。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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