二氟化硼分子离子注入抗辐射加固机理的研究

基本信息
批准号:68976036
项目类别:面上项目
资助金额:3.00
负责人:张廷庆
学科分类:
依托单位:西安电子科技大学
批准年份:1989
结题年份:1992
起止时间:1990-01-01 - 1992-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:刘家璐,赵元富,曹阳
关键词:
二氟化硼分子离子注入抗核加固MOS集成电
结项摘要

项目摘要

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{{index+1}}

{{i.achievement_title}}

{{i.achievement_title}}

DOI:{{i.doi}}
发表时间:{{i.publish_year}}

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数据更新时间:2023-05-31

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