使用MOCVD技术生长了硒化镁和硫化镁薄膜材料。研究结果表明,它们的相结构强烈地依赖于生长温度和衬底取向。高温生长易出现NaCl结构,低温生长易出现闪锌矿右纤锌矿结构。在550℃获得NaCl结构硫化镁单晶膜;在650℃获得NaCl结构硒化镁单晶膜;在270-340℃生长出纤锌矿结构的硫化镁薄膜;在260-600℃生长的是闪锌矿或纤锌矿结构或两相共存的硒化镁薄膜;实验准确地测量到纤锌矿结构硫化镁和闪锌矿结构硒化镁的晶格常数;在取向不同的衬底上生长的薄膜的相结构或结晶特性有较大差异。
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数据更新时间:2023-05-31
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