纳米硅薄膜的沉积机理研究

本工作研究用PECVD法沉积纳米硅薄膜的方法和原理。通过观测不同放电条件下的沉积特性、等离子体参量和薄膜结构的变化关系来分析沉积过程的特征。在此基础上探索纳米硅的优化工艺。在大量结构测量（高分辨电镜、拉曼谱、红外谱和可见吸收谱等）的基础上分析了纳米硅薄膜的结构特征，证明纳米硅是一种具有特殊界面的均匀的两相结构。其PECVD的工艺特征为高氢稀释和负偏置。空间过程的特征为初步反应主导，次级反应抑制，聚合反应可略，其表面过程是一种以速率相近方向相反的生长与刻蚀同时并存为特征的驰豫性自组装过程。为了考察这种特殊结构的物性，对材料的量子点效应和压阻效应也作了实验观测和分析。