化合物半导体晶体生长与缺陷控制的热物理问题
基本信息
批准号：50336040
项目类别：重点项目
资助金额：150.00
负责人：介万奇
学科分类：
依托单位：西北工业大学
批准年份：2003
结题年份：2007
起止时间：2004-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：白博峰,卢文强,坚增运,陈赋,赵亮,华慧,张西民,杨靖,谷智
关键词：
化合物半导体晶体生长热物理晶体改性多场耦合
结项摘要
以II－VI族化合物半导体晶体生长过程为背景，将工程热物理的基本理论与晶体材料的制备过程联系起来，研究晶体生长过程中的传热、传质、对流及其耦合效应；掺杂、点缺陷及其沉淀相形成的热力学与动力学规律；位错、孪晶形成机制及其与其他缺陷的交互作用；晶体生长过程的热物理多场反问题监测与辨识理论；探索晶体组织的多尺度模型及数值求解方法。通过对上述理论问题的研究，建立材料制备过程的外场条件与材料内部结构、性质演
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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