纳米尺度半导体器件中热的产生与输运问题研究

本课题研究将面向纳米尺度下集成电路中的主流器件和未来可望解决体硅CMOS所遇到挑战的新材料、新结构器件；研究纳米尺度下半导体器件中热产生的机理、模型和准确的模拟方法；研究纳米尺度下，半导体器件中声子的非稳态输运及相应的热传导机制和散热过程，建立纳米尺度下的散热模型和准确的模拟方法；探索研究器件中声子输运对载流子输运特性的影响，研究纳米尺度下器件的热学特性和电学特性的耦合过程，发展相应的模型和模拟方法；在上述模型和模拟方法的基础上，研究纳米尺度下集成电路中热管理的方法和策略；研究和评估新材料、新结构器件中的产热和散热问题，开展新材料、新结构器件中电学和热学性能共同优化的设计方法研究。为纳米尺度集成电路的设计提供工具，为我国集成电路科学技术的可持续发展奠定基础。