应用于核医学成像Tof-PET系统的新型快衰减闪烁体Pr:LuAG中的结构缺陷研究

基本信息
批准号:11005139
项目类别:青年科学基金项目
资助金额:22.00
负责人:石云
学科分类:
依托单位:中国科学院上海硅酸盐研究所
批准年份:2010
结题年份:2013
起止时间:2011-01-01 - 2013-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:冯锡淇,刘文斌,曾燕萍,王亮,沈毅强,陈敏
关键词:
晶界反位置缺陷闪烁陶瓷Pr:LuAG
结项摘要

Pr:LuAG(Lu3Al5O12)具有密度高(6.7g/cm3),衰减时间快(~20ns),能量分辨率高(5%@662KeV)等优势,是当前新型闪烁材料研究的热点,被认为是Ce:LSO(Lu2SiO5)的有力竞争者,有望在新一代核医学成像Tof-PET仪器上得到应用。然而,由其内部结构缺陷引起的光产额损失,衰减慢分量等问题,成为该材料的实用化的瓶颈,也是当前闪烁材料中的普遍问题。本项目计划以Pr:LuAG中的结构缺陷反位置缺陷和晶界为研究对象。采用制备工艺条件调控组分、化学计量比和晶界结构,结合先进的同步辐射EXAFS,热释光谱,晶界三维成像等微结构分析方法,进行反位置缺陷、晶界等的产生、存在、演化规律的研究,查明结构缺陷对光传输,尤其是对光产额和闪烁衰减慢分量的影响机制,查明反位置缺陷与晶界的谱学特征,建立他们与制备工艺的联系,最终获得高性能可实用的闪烁陶瓷。

项目摘要

新一代核医学成像Tof-PET用备选材料要求具有密度高,衰减时间快,能量分辨率高等性能优势,Pr:LuAG闪烁陶瓷具有制备温度低,热学和力学性能优异等优势,是理想体系之一。本项目研究了Pr:LuAG的关键制备技术、器件成像和闪烁发光机理等,取得了一系列重要进展。重点研究了Pr:LuAG的内部缺陷:反位置缺陷和晶界。研究发现陶瓷由于制备温度较低,较好的避免了单晶中的反位置缺陷问题,内部原子级缺陷(Si4+, Mg2+, 氧空位等)是引起光产额损失和衰减慢分量的重要原因。采用制备工艺条件调控组分、化学计量比,结合热释光谱,激光共聚焦显微技术晶界研究等微结构分析方法,对原子缺陷的产生、存在、演化规律的进行研究,根据研究结果调控组分和制备工艺,获得了高光输出快衰减的Pr:LuAG陶瓷,设计制备了新型Ce, Mg:LuAG闪烁陶瓷,获得了高达~21900 ph/MeV的闪烁光产额,这是目前国际上文献报道的LuAG闪烁陶瓷光产额的最高值,也是国内首次实现陶瓷的光产额高于相应的单晶。进一步采用陶瓷闪烁体制备的成像阵列(1.9*1.9*1.0mm3)组装探测器模块,实现二维散点图成像,所成散点图清晰可辨。经过平台测试,相同耦合条件下成像质量优于商用BGO (Bi4Ge3O12) 单晶,为闪烁陶瓷在PET级别核医学成像的应用提供了实验依据。

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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