硅表面上纳米尺度的自组加工修饰方法及物理问题的研究

基本信息
批准号:60071009
项目类别:面上项目
资助金额:14.00
负责人:竺长新
学科分类:
依托单位:中国科学院物理研究所
批准年份:2000
结题年份:2003
起止时间:2001-01-01 - 2003-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:杨海强,阎隆,庞世瑾
关键词:
纳米结构自组织表面加工修
结项摘要

利用扫描隧道显微镜技术与可控自组织生长技术的结和对硅表面进行纳米及原子尺度的加工修饰,探索快速制备大面积原子级有序特定结构的新方法。研究加工修饰过程中的物理问题和规律及原子级有序特定结构的物理特性。该研究在开发电子学器件、实现超高密度信息存储以及合成新材料等方面有着更为直接的应用前景而成为纳米科技的主要研究方向之一。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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