多孔硅自停止腐蚀制备超薄SOI新技术研究
基本信息
批准号：69876007
项目类别：面上项目
资助金额：12.00
负责人：黄宜平
学科分类：
依托单位：复旦大学
批准年份：1998
结题年份：2001
起止时间：1999-01-01 - 2001-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：竺士炀,包宗明,吴东平,王瑾
关键词：
薄膜SOI多孔硅自停止腐蚀
结项摘要
常规BESOI技术的工艺难点是背面均匀减薄，难以制备超薄(100nm以下)SOI材料。在多孔硅贤庋拥ゾЧ瑁枚嗫坠韬凸柚涞难≡窀葱岳词迪纸『瞎杵趁婕醣。芍票赋錾喜愎枘ぞ鹊某ESOI材料。这项技术的突破，将推动我国SOI技术的发展，具有显著的经济б妗Ｍ鄙钊肓私舛嗫坠璧奈⒐劢峁辜俺⊥庋由せ恚哂兄匾难跻庖濉
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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