用电化学和光电化学阳极氧化法在不同衬底单晶硅上制备了具荧光活性的多孔硅.用AFM表征其结构,观察到纳米硅晶的存在,其尺寸与Raman测定的理论计算吻合.较早获得了微结构因制备条件,衬底硅掺杂种类而异的系列图象.首次在国际上报道了多孔硅光致发光峰值能量随HF酸浓度变化的"台阶"现象,长达两年的跟踪该"台阶"行为依然存在,目前已被二个实验室发表在国际核心刊物上的论文证实是正确的.对新制备多孔硅分别进行化学氧化(HNO3 、H2O2),大气热氧化和激光辐照以及长期存放自然氧化等处理,观察到罕见的室温双峰光致发光现象,结合傅里叶变换红外光谱和Raman散射的测定结果提出了新的多孔硅光发射量子阱模型.
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数据更新时间:2023-05-31
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