制备器件可用的优质、低价、大面积单晶碳化硅薄膜是第三代半导体要解决的关键问题,而目前仍存在一些亟待解决的难题,这阻碍器件应用进程。本项目旨在用新创的两步法在硅衬底上制备能用于器件的优质、低价、大面积单晶碳化硅薄膜。研究在6H-SiC/Si衬底上用LPCVD法同质外延生长的SiC薄膜界面及表面缺陷形成的机制。探索控制、减少缺陷的可能措施,寻求最佳制备工艺。同时研究微观结构及缺陷与宏观电子、光学特性等的关系。
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数据更新时间:2023-05-31
脉冲直流溅射Zr薄膜的微结构和应力研究
c轴倾斜CuCr_(1-x)Mg_xO_2(x=0,0.02)薄膜的外延生长
烧结助剂对低温制备碳化硅多孔陶瓷性能的影响
A Fast Algorithm for Computing Dominance Classes
Magnetic properties and exchange coupling of Nd-Ce-Fe-B nanocomposite films
硅基外延生长优质单晶碳化硅薄膜与缺陷控制方法研究
垂直梯度凝固技术生长优质半绝缘砷化镓单晶研究
非外延生长FePt基薄膜的垂直取向机理研究
基于SiC衬底的氧化镓外延薄膜生长及其特性研究