在垂直冷壁LPCVD反应器中外延生长优质单晶SiC薄膜

制备器件可用的优质、低价、大面积单晶碳化硅薄膜是第三代半导体要解决的关键问题，而目前仍存在一些亟待解决的难题，这阻碍器件应用进程。本项目旨在用新创的两步法在硅衬底上制备能用于器件的优质、低价、大面积单晶碳化硅薄膜。研究在6H-SiC/Si衬底上用LPCVD法同质外延生长的SiC薄膜界面及表面缺陷形成的机制。探索控制、减少缺陷的可能措施，寻求最佳制备工艺。同时研究微观结构及缺陷与宏观电子、光学特性等的关系。