硅基外延生长优质单晶碳化硅薄膜与缺陷控制方法研究
基本信息
批准号：50172044
项目类别：面上项目
资助金额：20.00
负责人：王玉霞
学科分类：
依托单位：中国科学技术大学
批准年份：2001
结题年份：2004
起止时间：2002-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：何海平,曹颖,邹优鸣,李明
关键词：
晶态薄膜缺陷碳化硅
结项摘要
制备优质低价低缺陷密度的单晶碳化硅薄膜及体材料是第三代半导体要解决的关键问题，而目前仍存在许多待解决的难题，这严重阻碍了其应用进程。本项目旨在硅片上用有机物和硅氧化物溶胶叠层热解，辅以PLD等方法，制备出无界面层错等缺陷的优质、低价的4H，6H单蓟璞∧ぃ芯考跎偃毕菪纬傻幕撇⑻剿骺刂凭图敖缑嫖⒔峁沟淖罴压ひ詹问
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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