GeSi量子点的生长机制和物理特性
基本信息
批准号：10174012
项目类别：面上项目
资助金额：24.00
负责人：蒋最敏
学科分类：
依托单位：复旦大学
批准年份：2001
结题年份：2004
起止时间：2002-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：樊永良,胡冬枝,施斌,刘坚
关键词：
表面应变量子点表面活化剂
结项摘要
系统研究表面活化剂B、P、Sb原子核表面应变对量子点生长的作用规律。通过选择性离子注入B、Ge等原子，以及采用选择性外延超薄Ge层加扩散处理，在Si衬底表面引入微观尺度上挠Ρ涞髦疲芯苛孔拥愠珊松びΡ浠啤Ｍü芷谛缘谋砻嬗Ρ涞髦平岷媳砻婊罨粒迪殖叽缇龋占溆行蚺帕械牧孔拥愕纳ぁＭ毖芯苛孔拥愕暮焱夤獾缌飨煊馄滋匦裕涔杌焱馓讲馄餮兄铺峁┛蒲б谰荨
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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