单个GeSi量子点和量子环的微区电学性质研究

传统的物理特性研究方法，很难得到单个半导体量子点的物理特性，而单个 GeSi量子点和量子环的物理性质和行为对于硅基量子器件的研制是至关重要的。近年来迅速发展的多功能扫描探针显微镜 (SPM)技术提供了一个可行的研究手段。本项目将利用SPM的一系列电学性质测量方法，研究单个GeSi量子点和量子环的多种微区电学性质（如电导分布、电流电压特性、静电力、电容及表面势分布等），以及形貌、尺寸、组分分布和应变等对微区电学性质的影响及其机制，建立并完善微区电学测量的物理机制和模型，并从中获得单个量子点或量子环的微结构和电子态的定量数据。另外，还将研究覆盖过程、耦合效应、外场作用等对量子点或量子环的微区物理特性的影响。研究工作将深化对单量子结构的物理认识，并为基于单个GeSi量子结构的器件设计提供科学依据。