在硅衬底上Er2O3、Tm2O3高k介质材料的外延生长和物理特性研究

高k（介电常数）介质材料在硅集成电路工艺和微电子学中有着重要的应用前景，是目前凝聚态物理与材料物理研究的热点之一。本项目提出Er2O3、Tm2O3高k 介质材料在Si 衬底上的外延生长及其异质外延生长机制和物理特性的研究。进一步探索材料异质外延生长的条件与普遍规律，特别是异质外延生长时不同表面状态对外延生长的影响，应变作用及其弛豫机制。弄清楚材料生长过程与工艺、微结构和物理特性三者之间的关系与规律。制备出等效氧化层厚度（equivalent oxide thickness, EOT）小于1nm，且有良好物理性质的高k薄膜材料。因此本项目无论从基础研究的角度还是从应用研究的角度都有意义。