GaN中氢、碳和氧的行为和作用

氮化镓由于其重要应用价值和巨大发展潜力被认为是最有发展前途的化合物半导体。氢，碳和氧在氮化镓生长过程中不可避免地要引入，对氮化镓材料质量和器件性能有重要又复杂影响。目前对这些杂质的认识还很不充分。本申请拟采用掺入同位素、高能粒子辐照和综合多种实验手段等方法深入研究GaN中的氢、碳和氧的局域振动模、深能级和其它独特行为。