PtSix-GaAs肖特基结制备及快速退火对界面特性影响研究
基本信息
批准号：68876112
项目类别：面上项目
资助金额：3.00
负责人：罗晋生
学科分类：
依托单位：西安交通大学
批准年份：1988
结题年份：1990
起止时间：1989-01-01 - 1990-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：汪立春,齐鸣,何丕模,粱振宪,杨奇
关键词：
硅化物快速退火界面
结项摘要
项目摘要
项目成果
{{index+1}}
{{i.achievement_title}}
{{i.achievement_title}}
DOI：{{i.doi}}
发表时间：{{i.publish_year}}
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数据更新时间：2023-05-31
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