电力电子器件高压终端分析设计边界元新方法的研究

采用高分辨电子显微镜研究了硅单晶压痕塑性与断裂。结果发现压痕可引发硅晶体的非晶化现象。同时发现，这种转变可能是从有序点阵向非晶直接转变，也可能中间经过微晶和纳米晶的过渡阶段。分析与计算指出，切应力是诱发这种转变的主导因素。这与静水压力导致高压Si相，而后在卸载时转变成非晶的机制不同。对压痕引发的裂纹尖端区施行平视与侧视观察，获得了三维空间的高分辨点阵像。发现尖端区存在位错激活并引发点阵畸变带分布于裂纹面之间，带宽约为纳米量级，而裂纹扩展则是沿此畸变带（或称非晶带）的脱开的过程，并非是裂纹尖端原子键直接断开而造成的。