深亚微米集成电路铜互连线的宏、微观织构研究

随着集成电路技术的迅速发展，互连线宽度开始进入到深亚微米级时代。铜取代铝作为超大规模集成电路互连线材料具有良好的导电性、导热性和抗电迁移能力。集成电路互连线电迁移现象会造成集成电路芯片失效，电迁移的影响因素很多，其中铜互连线的观织构起比较重要作用，可以通过控制铜互连线的织构有效地提高集成电路的可靠性。集成电路铜互连线织构的本质是界面能、应变能控制的深亚微米晶的织构形成以及随后在深亚微米级沟槽内应变能控制为主的退火织构形成，这是深亚微米集成电路的普遍问题，也是织构形成和演化理论的新领域。因此有重要的理论和应用研究价值。本项目研究目的在于揭示深亚微米集成电路铜互连线在制备过程中织构的形成和演化规律，探索控制铜互连线织构的关键因素，研究铜互连线织构对集成电路电迁移的影响，同时发展深亚微米晶乃至纳米晶在超大规模集成电路互连线沟槽内的织构形成和演化理论。