基于碳纳米管植布工艺的场发射阴极制备技术研究

碳纳米管作为性能优异的新型场发射冷阴极材料业已引起学术界和产业界的高度重视和广泛研究，其中，碳管场发射阴极制备技术一直是科研攻关的重点，但是现有的丝网印刷和直接生长工艺存在一系列制约器件批量生产和稳定工作的技术缺陷。针对这些缺点，本项目提出了一种通过复合电镀和后续微细加工使碳纳米管分散根植在金属电极表层的新工艺，称之为"植布"工艺。该工艺能使碳管结合牢固、密度可控，且全流程低温，与三维非硅微加工技术相结合，可以克服现有技术的主要缺点，构造功能结构高度集成的高性能CNT场发射阴极，推动碳纳米管场发射技术进步。因此，值得开展深入细致的基础研究，以优化单元工艺，整合工艺流程，构建CNT场发射阴极集成制造的基础工艺框架，形成具有自主知识产权的新型加工技术体系，研制新型场发射器件样品，推动碳纳米管在平板显示产业上的应用，为我国场发射技术和相关产业长远发展奠定核心技术基础。