硅衬底上集成的新型可调微波电容器研究

与半导体变容管及MEMS变容器相比，钛酸锶钡（BST）薄膜压控电容器有较高的调节率和可控性，调节速度较快,同时易于与MMIC电路集成，因此在可调微波器件方面有广阔的应用前景。但是必须设法降低BST薄膜的介质损耗同时可调性又足够高，且最好能与硅衬底集成以减小体积、降低能耗。针对这些问题，本项目提出在硅衬底上集成加工可调微波电容，通过在衬底和BST薄膜间插入与BST薄膜晶格相匹配的氧化物缓冲层，调整BST薄膜的取向，改善了可调性。同时尝试插入绝缘薄膜缓冲层，形成BST/氧化物异质结构，试图突破以往研究报道中虽然能减小损耗但也会极大的降低可调率的瓶颈，为新型可调微波器件的研制提供了一种新的探索方向。用微细加工技术加工可调电容，并评价其高频特性，深入系统探讨通过插入缓冲层在硅衬底上加工BST薄膜可调微波电容的有效途径，这对新一代可调微波器件的开发乃至对数字通信的发展具有重要意义。