硅衬底上氮化镓基MEMS工艺基础研究

氮化镓(GaN)以及相关的宽禁带化合物半导体材料已经在发光二极管、高压高频功率器件等领域取得了显著的研究成果并逐步已走向市场。由于氮化镓优异的材料特性，氮化镓基的MEMS器件研究成为近几年氮化镓研究新的重要研究方向，其中以硅衬底上生长的氮化镓最具研究前景，可用于高温恶劣环境下的各类MEMS器件，但其加工工艺仍有很多问题急待解决。突破氮化镓基MEMS技术研究中的工艺瓶颈对推动氮化镓基MEMS器件的研究具有重要意义。本项研究在调研国内外研究进展基础上，创新性的提出了采用全干法正面释放技术加工氮化镓可动微结构的工艺方案，将显著的提高工艺效率和成品率。同时，本项研究首次对加工完成的可动微结构抗腐蚀特性、可动微结构的测试和表征技术等开展系统的研究，为氮化镓基MEMS器件的设计提供理论和技术支持。本项研究还将开发基于全干法释放技术的氮化镓基集成MEMS工艺技术，为研究氮化镓基集成传感器打下良好基础。